英特尔承认在EUV光刻上犯错：当年太自信

最近几年，台积电及三星在半导体工艺上超越了Intel，后者在14nm节点之前都是全球最先进的半导体公司，然而在10nm节点面临各种困难，给了对手可乘之机。Intel在这个过程中是如何被超越的？CEO基辛格日前接受了采访，特别提到了Intel在EUV光刻工艺上的选择错误。

在EUV技术研发上，Intel是全球重要推手，ASML研发EUV光刻机也得到了Intel的不少帮助，但是Intel在10nm节点没有选择EUV光刻，而是尝试了新的SAQP四重曝光技术，它们的目标是不依赖EUV光刻机也能生产先进工艺。

基辛格表示，当初这个目标是很好的，然而SAQP曝光工艺非常复杂，成本高，随着时间的推移，Intel站在了EUV错误的一边，基辛格表示当时应该至少有一个并行的EUV战略才对。

基辛格所说的这个事其实就是过去几年中Intel在10nm工艺上多次跳票的关键，这两年才算是搞定了10nm工艺的量产，现在改名为Intel 7工艺。

至于EUV工艺，Intel现在也重视起来了，跟ASML的合作很好，今年底量产的Intel 4工艺就是Intel首个EUV工艺，用于首发量产14代酷睿Meteor Lake，明年上市。